HEMEROTECA
Micron e Intel desvelan su nueva memoria flash NAND 3D
27 marzo, 2015Micron Technology e Intel Corporation han anunciado la disponibilidad de su tecnología de NAND 3D, la memoria flash de mayor densidad del mundo. La memoria flash es una tecnología de almacenamiento que actualmente se emplea en los ordenadores portátiles más ligeros, en los centros de datos más potentes y en prácticamente todos los móviles, tabletas y otros dispositivos móviles.
Esta nueva tecnología de NAND 3D, desarrollada conjuntamente por Intel y Micron, emplea celdas de almacenamiento superpuestas en capas en una pila vertical de una extraordinaria precisión, creando así dispositivos de almacenamiento con una capacidad 3 veces superior a la de las tecnologías NAND de sus competidoras. Esta densidad permite ofrecer más capacidad de almacenamiento en volúmenes más pequeños, lo que se traduce en ventajas significativas en términos de espacio, menor consumo energético, y un gran rendimiento para un amplio espectro de dispositivos móviles de consumo, así como para las aplicaciones empresariales más exigentes.
La memoria flash NAND plana está encontrando limitaciones prácticas en lo que respecta a su escalabilidad, lo que representaba un reto significativo para el sector de la memoria. La tecnología NAND 3D está llamada a revolucionar el sector, brindándole la oportunidad de continuar avanzando al ritmo que preveía la Ley de Moore. Esta tendencia permitirá al sector seguir ofreciendo un mayor rendimiento a un menor coste, redundando así en un uso más generalizado del almacenamiento flash.
Esta nueva tecnología NAND 3D se compone de pilas de celdas de memoria flash apiladas en 32 capas, en módulos de celdas multinivel (MLC) de 256 GB o de celdas de triple nivel (TLC) de 384 GB, con el mismo tamaño que los módulos de memoria convencionales. Este aumento de densidad permitirá crear, por ejemplo, SSD de más de 3,5 TB de almacenamiento del tamaño de un chicle, así como SSD en formato estándar de 2,5 pulgadas con una capacidad de más de 10 TB. Puesto que, con esta tecnología, la capacidad de los chips se multiplica apilando celdas en vertical, las dimensiones de cada celda pueden ser mucho mayores. Esto resultará en un mayor rendimiento y durabilidad y hará posible crear diseños basados en celdas TLC que sean aptos para su uso en productos de almacenamiento para centros de datos.
Actualmente, algunos partners de ambas compañías ya están realizando pruebas con módulos de muestra de NAND 3D MLC de 256 GB, mientras que los primeros módulos TLC de 384 GB de muestra llegarán a los partners a lo largo de esta primavera.
Las líneas de producción de las fábricas ya han comenzado a realizar las primeras pruebas de producción y se espera que ambas soluciones entren en producción a gran escala a lo largo del cuarto trimestre del año. Además, ambas compañías están desarrollando sus respectivas gamas de SSD basadas en estas tecnologías NAND 3D y esperan que estén disponibles a lo largo del año próximo.
*Para más información: www.micron.com / www.intel.com
Seguir leyendo... 11-03-2025
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